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半自動(dòng)高功率探針臺(tái)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：TS3000-HP 是用于在寬 -60°C 至 +300°C 的溫度范圍和寬 3 kV （三軸） / 10 kV （同軸） 和 600 A 測(cè)量范圍的晶圓#HighPower 對(duì)高功率芯片特性進(jìn)行測(cè)試。該系統(tǒng)可以選擇在薄晶片或TAIKO晶圓上進(jìn)行測(cè)試。并為超低噪聲測(cè)量集成了SHIELDEnvironmentTM和WAFERWALLET 。半自動(dòng)高功率探針臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)：專為高壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì) • 在晶片大功率設(shè)備上測(cè)量高達(dá)10kV/600A• 鍍金卡盤(pán)表面的最小接觸電阻和真空孔優(yōu)化的
半自動(dòng)高功率探針臺(tái)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
TS3000-HP 是用于在寬 -60°C 至 +300°C 的溫度范圍和寬 3 kV （三軸） / 10 kV （同軸） 和 600 A 測(cè)量范圍的晶圓#HighPower 對(duì)高功率芯片特性進(jìn)行測(cè)試。該系統(tǒng)可以選擇在薄晶片或TAIKO晶圓上進(jìn)行測(cè)試。并為超低噪聲測(cè)量集成了SHIELDEnvironmentTM和WAFERWALLET 。
半自動(dòng)高功率探針臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)：
專為高壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)
• 在晶片大功率設(shè)備上測(cè)量高達(dá)10kV/600A • 鍍金卡盤(pán)表面的最小接觸電阻和真空孔優(yōu)化的薄晶 圓處理至50µm • Taiko晶圓殼牌選項(xiàng) • 專用的高壓、高電流探頭 • 抗弧解決方案 半自動(dòng)探 針臺(tái)|高功率探針臺(tái)| | 屏蔽環(huán)境™ ，用于精確測(cè)量
• 為高級(jí)EMI/RFI/光緊屏蔽而設(shè)計(jì) • FA低泄漏能力 • 準(zhǔn)備好適應(yīng)溫度范圍-60°C至300°C | 人體工程學(xué)設(shè)計(jì)與安全
• 簡(jiǎn)單的晶圓或單個(gè)DUT加載從前面 • 監(jiān)管部門(mén)批準(zhǔn)的安全聯(lián)鎖燈簾來(lái)保護(hù)用戶 • 集成式主動(dòng)隔振裝置 • *集成的支撐器控制， 以實(shí)現(xiàn)更快、更安全、方 便的系統(tǒng)和測(cè)試操作 • 安全測(cè)試管理 (STM™) 選項(xiàng)，可在任何吸管溫度下 加載/卸載晶圓和自動(dòng)露點(diǎn)控制 |
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